• 图3:ROHM独创的高速负载瞬态响应H3RegTM控制 为了与内部电压控制比较器输入的标准电压(REF)进行比较,将被分压的输出电压反馈给FB引脚;   在正常运行中,H3RegTM控制器一旦检测到FB引脚的电压低于REF电压,在下述公式规定的时间(tON)之内,导通高边MOSFET的栅极(HG),使输出电压上升;
  • 图3:ROHM独创的高速负载瞬态响应H3RegTM控制 为了与内部电压控制比较器输入的标准电压(REF)进行比较,将被分压的输出电压反馈给FB引脚;   在正常运行中,H3RegTM控制器一旦检测到FB引脚的电压低于REF电压,在下述公式规定的时间(tON)之内,导通高边MOSFET的栅极(HG),使输出电压上升; >>
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  •   主要包括3.3 v电压调整器及基准电压源、触发器、施密特比较器、欠压关断电路、控制门、TrueDrive驱动器。TrueDrive (真驱动)为TI公司的专有技术,它是由并联双极性晶体管和MOSFET管组成上拉/下拉电路构成的混合输出级。其优点是驱动能力强,在低电压时也能正常输出,并能在极低输出阻抗下控制外部功率MOSFET的过压、欠压保护,功率MOSFET不需要接起保护作用的肖特基钳位二极管。UCD7100能在几百 ns的时间内给MOSTFET的栅极提供一个高峰值电流,快速开启驱动器。UCD71
  •   主要包括3.3 v电压调整器及基准电压源、触发器、施密特比较器、欠压关断电路、控制门、TrueDrive驱动器。TrueDrive (真驱动)为TI公司的专有技术,它是由并联双极性晶体管和MOSFET管组成上拉/下拉电路构成的混合输出级。其优点是驱动能力强,在低电压时也能正常输出,并能在极低输出阻抗下控制外部功率MOSFET的过压、欠压保护,功率MOSFET不需要接起保护作用的肖特基钳位二极管。UCD7100能在几百 ns的时间内给MOSTFET的栅极提供一个高峰值电流,快速开启驱动器。UCD71 >>
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  • 图 18:具闭合电流环路的新功率级转移函数 GCV(s) 电感器电流旌旗灯号可以直接用一个附加的 RSENSE 检测,或者间接地通过电感器绕组 DCR 或 FET RDS(ON) 检测。电流模式控制还提供其他几项紧张的益处。如图 17 所示,既然电感器电流以逐周期体例、通过放大器输出电压检测和限定肉牛养殖价格,那么体系在过载或电感器电流饱和时,就能够更正确和更快速地限定电流。在加电或输入电压瞬态时,电感器浪涌电流也受到了严酷控制。当多个转换器 / 相位并联时,通过将放大器 ITH 引脚连到一路,凭借电流
  • 图 18:具闭合电流环路的新功率级转移函数 GCV(s) 电感器电流旌旗灯号可以直接用一个附加的 RSENSE 检测,或者间接地通过电感器绕组 DCR 或 FET RDS(ON) 检测。电流模式控制还提供其他几项紧张的益处。如图 17 所示,既然电感器电流以逐周期体例、通过放大器输出电压检测和限定肉牛养殖价格,那么体系在过载或电感器电流饱和时,就能够更正确和更快速地限定电流。在加电或输入电压瞬态时,电感器浪涌电流也受到了严酷控制。当多个转换器 / 相位并联时,通过将放大器 ITH 引脚连到一路,凭借电流 >>
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  • 圆二色光谱仪结构简图 圆二色光谱仪需要将平面偏振调制成左、右圆偏振光,并用很高的频率交替通过样品,因而设备复杂,完成这种调制的是电致或压力致晶体双折射的圆偏振光发生器(也称Pocker池或应力调制器)。圆二色谱仪一般采用氙灯作光源,其辐射通过由两个棱镜组成的双单色器后,就成为两束振动方向相互垂直的偏振光,由单色器的出射狭缝排除一束非寻常光后,寻常光由CD调制器制成交变的左圆偏振光、右圆偏振光,这两束圆偏振光通过样品产生的吸收差由光电倍增管接受检测。测试时要通入氮气赶走管路中的水蒸气和光源产生的臭氧(臭氧
  • 圆二色光谱仪结构简图 圆二色光谱仪需要将平面偏振调制成左、右圆偏振光,并用很高的频率交替通过样品,因而设备复杂,完成这种调制的是电致或压力致晶体双折射的圆偏振光发生器(也称Pocker池或应力调制器)。圆二色谱仪一般采用氙灯作光源,其辐射通过由两个棱镜组成的双单色器后,就成为两束振动方向相互垂直的偏振光,由单色器的出射狭缝排除一束非寻常光后,寻常光由CD调制器制成交变的左圆偏振光、右圆偏振光,这两束圆偏振光通过样品产生的吸收差由光电倍增管接受检测。测试时要通入氮气赶走管路中的水蒸气和光源产生的臭氧(臭氧 >>
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  • 摘要:本文主要介绍了交-直-交电压型变频器的整流单元、滤波单元、逆变单元、制动单元、驱动单元、检测单元、控制单元的主要形式,以及主要的几种控制方法及PWM技术在变频器中的应用。 关键词:交-直-交电压型变频器 IGBT 栅极驱动 电流检测 霍尔传感器 矢量控制 PMW 0、引言 交流变频调速技术发展至今已有几十年的历史。低压变频器构成的交流调速系统,因其技术上的不断创新,使系统在性能上不断地完善,并在电气传动领域挑战直流调速系统,已得到了广泛的应用。交-直-交电压型变频器是目前市场上低压变频器的主要形式,
  • 摘要:本文主要介绍了交-直-交电压型变频器的整流单元、滤波单元、逆变单元、制动单元、驱动单元、检测单元、控制单元的主要形式,以及主要的几种控制方法及PWM技术在变频器中的应用。 关键词:交-直-交电压型变频器 IGBT 栅极驱动 电流检测 霍尔传感器 矢量控制 PMW 0、引言 交流变频调速技术发展至今已有几十年的历史。低压变频器构成的交流调速系统,因其技术上的不断创新,使系统在性能上不断地完善,并在电气传动领域挑战直流调速系统,已得到了广泛的应用。交-直-交电压型变频器是目前市场上低压变频器的主要形式, >>
  • 图片来源:new.iw168.cn 宽570x369高
  • 柴油发电机组的双电源自动转换开关英文简称为ATSE,ATSE只能安装于合适其工作的场所,确保由专业人员进行安装、调试与维护维护,有关ATSE的一切操作,安装与接线,都应遵守该说明书的相应规定,ATSE结构精密,出厂的ATSE均有标记,用户切勿擅自打开,否则后果自负。适用于交流660V及以下,额定频率为50/60Hz/的场合,无论是在正常条件下还是故障条件下.只要在开关的技术参数内,均可保证安全可靠的运行于相应电压等级的场合中。 1.
  • 柴油发电机组的双电源自动转换开关英文简称为ATSE,ATSE只能安装于合适其工作的场所,确保由专业人员进行安装、调试与维护维护,有关ATSE的一切操作,安装与接线,都应遵守该说明书的相应规定,ATSE结构精密,出厂的ATSE均有标记,用户切勿擅自打开,否则后果自负。适用于交流660V及以下,额定频率为50/60Hz/的场合,无论是在正常条件下还是故障条件下.只要在开关的技术参数内,均可保证安全可靠的运行于相应电压等级的场合中。 1. >>
  • 图片来源:www.ybzhan.cn 宽688x551高
  • GW13系列变压器中性点隔离开关 GW13系列中性点隔离开关,是交流50HZ户外装置,供在无载荷情况下,分、合变压器中性点联线之用。本隔离开关分为普通型和耐污型两种。 本隔离开关性能可靠,结构简单,规格齐全。根据用户需要可采用手动操作机构或电动操作机构进行操作。手动操作机构为CS17-G型,电动操作机构为CJ11M免维护型或CJ2,CJ6,CJ16A型。CS17-G型手动操作机构可以附装DSW4-Y型电磁锁,以实现电气联锁,防止电气误操作。CJ11M免维护型及CJ2,CJ6,CJ16A型电动操作机构另见其
  • GW13系列变压器中性点隔离开关 GW13系列中性点隔离开关,是交流50HZ户外装置,供在无载荷情况下,分、合变压器中性点联线之用。本隔离开关分为普通型和耐污型两种。 本隔离开关性能可靠,结构简单,规格齐全。根据用户需要可采用手动操作机构或电动操作机构进行操作。手动操作机构为CS17-G型,电动操作机构为CJ11M免维护型或CJ2,CJ6,CJ16A型。CS17-G型手动操作机构可以附装DSW4-Y型电磁锁,以实现电气联锁,防止电气误操作。CJ11M免维护型及CJ2,CJ6,CJ16A型电动操作机构另见其 >>
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  • 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
  • 有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要. >>
  • 图片来源:www.longhusz.com 宽600x600高
  • 本文向大家介绍一款能够从0起调的跟踪式稳压电源模块,由于采用LM317和LM337三端可调集成稳压器,故内部有限流、短路和热保护等完善功能。其独特之处:仅用一个单连电位器即能实现正、负电压同步调节,具有线路简单、调节方便、性能优良、成本低廉等特点,适合无线电爱好者做实验之用。  工作原理:整机电路如图所示。电源输入部分为常见的变压器降压与桥式整流,加大电容滤波,获得上下对称的22V直流电压。其中还派生出另两组6.
  • 本文向大家介绍一款能够从0起调的跟踪式稳压电源模块,由于采用LM317和LM337三端可调集成稳压器,故内部有限流、短路和热保护等完善功能。其独特之处:仅用一个单连电位器即能实现正、负电压同步调节,具有线路简单、调节方便、性能优良、成本低廉等特点,适合无线电爱好者做实验之用。 工作原理:整机电路如图所示。电源输入部分为常见的变压器降压与桥式整流,加大电容滤波,获得上下对称的22V直流电压。其中还派生出另两组6. >>
  • 图片来源:www.bjhzsf.com 宽612x422高
  • KM系列 真四位数字显示表(电流/电压/转速) KM系列 真四位数字智能表 先进的表面贴装工艺和电磁隔离技术,确保长期稳定。 弧线设计、卡扣安装,短机身(仅80mm),真四位显示。 高速响应,响应时间低至10ms。支持负斜率显示设置。 六级数位滤波(可设置),优良的抗干扰能力和高精度特性。 特有现场校正功能,菜单组设计,操作简便(菜单可编程锁定)。 二组继电器输出(四种模式)或RS485串行通讯输出(Moudbus RTU)。 宽电压交/直通用工作电源(45~264VAC/DC),配电灵活。低功耗设计。
  • KM系列 真四位数字显示表(电流/电压/转速) KM系列 真四位数字智能表 先进的表面贴装工艺和电磁隔离技术,确保长期稳定。 弧线设计、卡扣安装,短机身(仅80mm),真四位显示。 高速响应,响应时间低至10ms。支持负斜率显示设置。 六级数位滤波(可设置),优良的抗干扰能力和高精度特性。 特有现场校正功能,菜单组设计,操作简便(菜单可编程锁定)。 二组继电器输出(四种模式)或RS485串行通讯输出(Moudbus RTU)。 宽电压交/直通用工作电源(45~264VAC/DC),配电灵活。低功耗设计。 >>
  • 图片来源:www.wjw.cn 宽650x221高
  • 在现代家庭中手机、平板电脑、数码相机、播放机和电子血压计等电子产品,都配有电源适配器和手机充电器,两者外形规格相似,混放在一起极易用错,使用时务必认清其名称和额定电气参数。电源适配器(英文Adapter)把交流市电变换为用电设备所需的直流稳定电压,其间不存在电量的存储,可理解为直流稳压电源。而充电器(英文Charger)具有适配器功能外,内部还包括了恒流、恒压、涓流等满足电池充电特性的控制电路,一般可给电池直接充电,不必通过任何中介设备和装置。目前GSM手机通常包含充电功能,与手机配套的只需电源适配器。C
  • 在现代家庭中手机、平板电脑、数码相机、播放机和电子血压计等电子产品,都配有电源适配器和手机充电器,两者外形规格相似,混放在一起极易用错,使用时务必认清其名称和额定电气参数。电源适配器(英文Adapter)把交流市电变换为用电设备所需的直流稳定电压,其间不存在电量的存储,可理解为直流稳压电源。而充电器(英文Charger)具有适配器功能外,内部还包括了恒流、恒压、涓流等满足电池充电特性的控制电路,一般可给电池直接充电,不必通过任何中介设备和装置。目前GSM手机通常包含充电功能,与手机配套的只需电源适配器。C >>
  • 图片来源:www.dgjiuqi.com 宽640x444高
  • 创维LED液晶彩电采用的715G5593-P02-000-002M电源板,为开关电源与背光灯二合一板,其中开关电源电路采用STR -A6069H +LD7591 GS +LCS70OLG-TL组合方案,输出5.2V、+24V、+12V电压;LED背光灯振荡驱动电路采用PF7001S,对24V供电升压后为6条LED灯’串供电。同类电源板还有715G5593 -P01 -000 -0025和715G5593 -P03 -000-002M等,应用于创维32E7CRN等LED液晶彩电中。 该二合一板实
  • 创维LED液晶彩电采用的715G5593-P02-000-002M电源板,为开关电源与背光灯二合一板,其中开关电源电路采用STR -A6069H +LD7591 GS +LCS70OLG-TL组合方案,输出5.2V、+24V、+12V电压;LED背光灯振荡驱动电路采用PF7001S,对24V供电升压后为6条LED灯’串供电。同类电源板还有715G5593 -P01 -000 -0025和715G5593 -P03 -000-002M等,应用于创维32E7CRN等LED液晶彩电中。 该二合一板实 >>
  • 图片来源:www.gzweix.com 宽1357x885高
  • 。文献[7]采用动力学分析方法,基于以控制参数为分岔参数的分岔图,分析了电压控制Buck变换器随着控制参数变化时的稳定性。文献[8]同样采用动力学分析方法,通过分岔图和庞加莱映射图分析了谐振变换器的稳定性。文献[9]基于离散迭代映射模型对系统的稳定性进行了详细分析,并得出了高阶并联Buck变换器控制参数的稳定边界条件。文献[10-12]基于离散迭代映射模型的分岔图和李雅普诺夫(Lyapunov)指数谱,分别分析了Boost变换器、Buck-Boost变换器、二次型Boost变换器的电路参数对系统稳定性的影
  • 。文献[7]采用动力学分析方法,基于以控制参数为分岔参数的分岔图,分析了电压控制Buck变换器随着控制参数变化时的稳定性。文献[8]同样采用动力学分析方法,通过分岔图和庞加莱映射图分析了谐振变换器的稳定性。文献[9]基于离散迭代映射模型对系统的稳定性进行了详细分析,并得出了高阶并联Buck变换器控制参数的稳定边界条件。文献[10-12]基于离散迭代映射模型的分岔图和李雅普诺夫(Lyapunov)指数谱,分别分析了Boost变换器、Buck-Boost变换器、二次型Boost变换器的电路参数对系统稳定性的影 >>
  • 图片来源:e-press.dwjs.com.cn 宽844x751高
  • 泄露试验中限流电阻R1选择在额定输出电压时,输出端短路电流不超过高压硅堆的较大整流。如电压硅堆的较大整流电流为100mA时用于60kV的试验装置中,限流电阻按R1=60/0.1=600k选择。限流电阻还应具有足够的容量和沿面放电距离。 高压滤波电容C1一般选择在0.01~0.1F,当被试品的电容量很大时,C1可省略不用。 泄露试验的操作及注意事项 1)试验前应先检查被试品是否停电,接地放电,一切对外连线是否擦干净。要严防将试验电压加到有人工作的部位上去。 2)接好试验装置的接线后,应复查无误后才可加压
  • 泄露试验中限流电阻R1选择在额定输出电压时,输出端短路电流不超过高压硅堆的较大整流。如电压硅堆的较大整流电流为100mA时用于60kV的试验装置中,限流电阻按R1=60/0.1=600k选择。限流电阻还应具有足够的容量和沿面放电距离。 高压滤波电容C1一般选择在0.01~0.1F,当被试品的电容量很大时,C1可省略不用。 泄露试验的操作及注意事项 1)试验前应先检查被试品是否停电,接地放电,一切对外连线是否擦干净。要严防将试验电压加到有人工作的部位上去。 2)接好试验装置的接线后,应复查无误后才可加压 >>
  • 图片来源:www.dlsb-z.com 宽589x388高
  • 基于SH6610D的4-位单片机,带有8-位 SAR A/D 转换器 ROM: 2K X 16 位(OTP/掩膜) RAM: 123 X 4 位 系统寄存器: 35 X 4 位 数据存储器: 88 X 4 位  工作电压:2.4V - 5.5V(典型3V或5V) fOSC=32.768KHz - 4MHz, VDD=2.4V - 5.5V fOSC=32.768KHz - 10MHz, VDD=4.5V - 5.5V  6个CMOS 双向I/O 管脚 I/O 端口内建上拉电阻  两个8位自动重载入定时/
  • 基于SH6610D的4-位单片机,带有8-位 SAR A/D 转换器 ROM: 2K X 16 位(OTP/掩膜) RAM: 123 X 4 位 系统寄存器: 35 X 4 位 数据存储器: 88 X 4 位 工作电压:2.4V - 5.5V(典型3V或5V) fOSC=32.768KHz - 4MHz, VDD=2.4V - 5.5V fOSC=32.768KHz - 10MHz, VDD=4.5V - 5.5V 6个CMOS 双向I/O 管脚 I/O 端口内建上拉电阻 两个8位自动重载入定时/ >>
  • 图片来源:www.dycmcu.com 宽762x227高
  • 双量程电压表 显然,若电压表0-15V量程已坏,或为了从电压表上能准确反映出小灯泡两端电压达到3.8V,采用如下图所示的电路,把电压表并联在滑动变阻器两端,电压表接0-3V量程,通过调节滑片P,使电压表指针达到2.2V,此时小灯泡两端电压自然就是3.8V。因为根据串联电路总电压等于各部分电压之和的分压原理,6V-3.
  • 双量程电压表 显然,若电压表0-15V量程已坏,或为了从电压表上能准确反映出小灯泡两端电压达到3.8V,采用如下图所示的电路,把电压表并联在滑动变阻器两端,电压表接0-3V量程,通过调节滑片P,使电压表指针达到2.2V,此时小灯泡两端电压自然就是3.8V。因为根据串联电路总电压等于各部分电压之和的分压原理,6V-3. >>
  • 图片来源:mini.eastday.com 宽640x401高
  • 从上面的分析不难看出,富锂材料在循环中Mn和Co元素增加的容量弥补了Ni和O元素损失的容量,使得富锂材料的整体容量没有太大的变化,但是这些容量的组成部分却发生了翻天覆地的变化,从O和Ni的氧化还原反应转向Mn、Co的氧化还原反应会明显的改变富锂材料的电压特性。这一点也可以从费米能级图中得到解释,在开始的时候,富锂材料的费米能级仅仅稍高于Ni2+/Ni3+,因此富锂材料与金属Li之间的电位差比较高,但是随着循环的进行,富锂材料表面的O发生了还原和析出,因此导致过渡金属元素的价态降低,而表层的Ni元素会被首先
  • 从上面的分析不难看出,富锂材料在循环中Mn和Co元素增加的容量弥补了Ni和O元素损失的容量,使得富锂材料的整体容量没有太大的变化,但是这些容量的组成部分却发生了翻天覆地的变化,从O和Ni的氧化还原反应转向Mn、Co的氧化还原反应会明显的改变富锂材料的电压特性。这一点也可以从费米能级图中得到解释,在开始的时候,富锂材料的费米能级仅仅稍高于Ni2+/Ni3+,因此富锂材料与金属Li之间的电位差比较高,但是随着循环的进行,富锂材料表面的O发生了还原和析出,因此导致过渡金属元素的价态降低,而表层的Ni元素会被首先 >>
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