• 产品种类:MOSFET 制造商:Infineon RoHS:详细信息 技术:Si 安装风格:ThroughHole 封装/箱体:TO-220-3 通道数量:1Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:150V Id-连续漏极电流:83A RdsOn-漏源导通电阻:12mOhms Vgs-栅极-源极电压:30V Qg-栅极电荷:71nC 封装:Tube 商标:InfineonTechnologies 配置:Single Pd-功率耗散:330W 工厂包装数量:50 晶体管类型:
  • 产品种类:MOSFET 制造商:Infineon RoHS:详细信息 技术:Si 安装风格:ThroughHole 封装/箱体:TO-220-3 通道数量:1Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:150V Id-连续漏极电流:83A RdsOn-漏源导通电阻:12mOhms Vgs-栅极-源极电压:30V Qg-栅极电荷:71nC 封装:Tube 商标:InfineonTechnologies 配置:Single Pd-功率耗散:330W 工厂包装数量:50 晶体管类型: >>
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  • IRF2807PBF IRF1404PBF IRF1407PBF IRF5210PBF 更多 IRF 系列请联系: 深圳市科圳威电子有限公司 电话: 0755-83957025 手机: 13425134224 联系人: 严达星 QQ: 1985068390 公司地址:深圳市福田区深南大道南光捷佳2804室
  • IRF2807PBF IRF1404PBF IRF1407PBF IRF5210PBF 更多 IRF 系列请联系: 深圳市科圳威电子有限公司 电话: 0755-83957025 手机: 13425134224 联系人: 严达星 QQ: 1985068390 公司地址:深圳市福田区深南大道南光捷佳2804室 >>
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  • 制造商零件编号:IRFB3607GPBF 制造商:International Rectifier 描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB 系列:HEXFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):75V 电流 - 连续漏极 (Id)(25C 时):80A(Tc) 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9 毫欧 @ 46A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100A 不同 Vgs 时的栅极
  • 制造商零件编号:IRFB3607GPBF 制造商:International Rectifier 描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB 系列:HEXFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):75V 电流 - 连续漏极 (Id)(25C 时):80A(Tc) 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9 毫欧 @ 46A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100A 不同 Vgs 时的栅极 >>
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  • 主要产品:IR(国际整流器公司)、VISHAY(威世)、ST(意法半导体)、FAIRCHILD(仙童)、英飞凌(Infineon)的各种场效应管、IGBT、三极管、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等品牌元件的配套服务
  • 主要产品:IR(国际整流器公司)、VISHAY(威世)、ST(意法半导体)、FAIRCHILD(仙童)、英飞凌(Infineon)的各种场效应管、IGBT、三极管、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等品牌元件的配套服务 >>
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  • 凌晔(LY-ic Technology Co.,Ltd.)是一家知名的电子零组件代理分销商。公司成立于1990年,总部位于素有中国硅谷之称的北京中关村腹地;面向产业伙伴,积聚更多能力,优化产业供应链,降低成本,提供最具性价比的专业服务,这是我们孜孜以求的奋斗目标。 凌晔目前提供客户全方位的半导体产品技术服务,公司专业代理分销ADI, TI、ALTERA、XILINX, MICREL, ON.
  • 凌晔(LY-ic Technology Co.,Ltd.)是一家知名的电子零组件代理分销商。公司成立于1990年,总部位于素有中国硅谷之称的北京中关村腹地;面向产业伙伴,积聚更多能力,优化产业供应链,降低成本,提供最具性价比的专业服务,这是我们孜孜以求的奋斗目标。 凌晔目前提供客户全方位的半导体产品技术服务,公司专业代理分销ADI, TI、ALTERA、XILINX, MICREL, ON. >>
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  • IRFB7440PbF 8 www.irf.com?2015国际整流器提交数据表反馈 2015年2月19日图23a.开关时间测试电路图23b.开关时间波形图22b.未钳位的感应波形图22a.松开感应测试电路 TP V (BR)DSS 我 AS RG IAS 0.01  TP DUT大号 VDS + - VDD DRIVER一个 15V 20V V GS图24a.栅极充电测试电路图24b.
  • IRFB7440PbF 8 www.irf.com?2015国际整流器提交数据表反馈 2015年2月19日图23a.开关时间测试电路图23b.开关时间波形图22b.未钳位的感应波形图22a.松开感应测试电路 TP V (BR)DSS 我 AS RG IAS 0.01 TP DUT大号 VDS + - VDD DRIVER一个 15V 20V V GS图24a.栅极充电测试电路图24b. >>
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  • <a href = "/items/irfz44vpbf-cn-1-id-41186.html">IRFZ44VPBF</a>中文资料第1页精选内容: IRFZ44VPBF HEXFET? 功率MOSFET 10年9月30日参数最大.单位 I D @ T C = 25C 连续漏极电流,V GS @ 10V 55 I D @ T C = 100C 连续漏极电流,V GS @ 10V 39一个 我是 DM脉冲漏电流 220 P D @ T C = 25C功耗 1
  • <a href = "/items/irfz44vpbf-cn-1-id-41186.html">IRFZ44VPBF</a>中文资料第1页精选内容: IRFZ44VPBF HEXFET? 功率MOSFET 10年9月30日参数最大.单位 I D @ T C = 25C 连续漏极电流,V GS @ 10V 55 I D @ T C = 100C 连续漏极电流,V GS @ 10V 39一个 我是 DM脉冲漏电流 220 P D @ T C = 25C功耗 1 >>
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  • 高效率同步整流开关电源. 场效应管MOSFETN100VTO-220AB 晶体管极性:N沟道 电流,Id连续:180A 漏源电压,Vds:100V 在电阻RDS(上):4.5mohm 电压@Rds测量:10V 阈值电压,Vgsth典型值:4V 功耗,Pd:370W 工作温度最小值:-55C 工作温度最高值:175C 封装类型:TO-220AB 针脚数:3 MSL:(不适用) SVHC(高度关注物质):NoSVHC(20-Jun-2013) 功耗,Pd:370W 功耗,Pd:370mW 器件标号:4110
  • 高效率同步整流开关电源. 场效应管MOSFETN100VTO-220AB 晶体管极性:N沟道 电流,Id连续:180A 漏源电压,Vds:100V 在电阻RDS(上):4.5mohm 电压@Rds测量:10V 阈值电压,Vgsth典型值:4V 功耗,Pd:370W 工作温度最小值:-55C 工作温度最高值:175C 封装类型:TO-220AB 针脚数:3 MSL:(不适用) SVHC(高度关注物质):NoSVHC(20-Jun-2013) 功耗,Pd:370W 功耗,Pd:370mW 器件标号:4110 >>
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  • IRF3808PbF 8 www.irf.com峰值二极管恢复dv / dt测试电路 PW期的di / dt二极管恢复的dv / dt波纹 5%体二极管向前掉落重施电压相反复苏当前身体二极管向前当前 V GS = 10V V DD 我 SD驱动器门驱动 DUT I SD 波形 DUT V DS 波形电感Curent D = PW期 + - + + + - - - ?  , R G V DD ?
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  • IRF4905PBF的特征: 先进工艺技术 超低导通电阻 动态dv / dt等级 175°C工作温度 快速切换 P沟道 全雪崩评级 无铅  IRF4905PBF的绝对最大额定值:  IRF4905PBF的描述: 来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的处理技术,以实现每个硅面积的极低导通电阻。 这一优势结合了HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计, 为设计人员提供了一种非常高效可靠的器件,可用于各种应用。 TO-220封装在所有商业工业应用中是普遍优先的,功耗
  • IRF4905PBF的特征: 先进工艺技术 超低导通电阻 动态dv / dt等级 175°C工作温度 快速切换 P沟道 全雪崩评级 无铅 IRF4905PBF的绝对最大额定值: IRF4905PBF的描述: 来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的处理技术,以实现每个硅面积的极低导通电阻。 这一优势结合了HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计, 为设计人员提供了一种非常高效可靠的器件,可用于各种应用。 TO-220封装在所有商业工业应用中是普遍优先的,功耗 >>
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  • 第五代HEXFETs国际整流器的利用先进的处理技术实现极低导通电阻每个硅区域。这个好处,加上快切换速度和加固的装置设计,HEXFET权力场效应管是众所周知的,为设计师提供了一个极其有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。 商业工业- 247包是首选应用在更高的功率不能使用- 220 设备。- 247是类似,但比早些时候- 218 包,因为它孤立的安装孔。
  • 第五代HEXFETs国际整流器的利用先进的处理技术实现极低导通电阻每个硅区域。这个好处,加上快切换速度和加固的装置设计,HEXFET权力场效应管是众所周知的,为设计师提供了一个极其有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。 商业工业- 247包是首选应用在更高的功率不能使用- 220 设备。- 247是类似,但比早些时候- 218 包,因为它孤立的安装孔。 >>
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  • IRS2181 / IRS21814(S)的PbF www.irf.com 8 0 20 40 60 80 -50 -25 0 25 50 75 100 125 温度( )典型最大.图7A.关闭下降时间与温度 0 20 40 60 80 10 12 14 16 18 20电源电压(V)图7B.关闭下降时间与供应电压典型.最大. 0 20 40 60 80 100 120 -50 -25 0 25 50 75 100 125 温度( )典型.
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  • 【电话/TEL:0755-82528639】【传真/FAX:0755-83239679】联系人:黄先生 徐先生 【QQ:451342246 274960969 】【手机:13510931739 黄先生13717138141徐先生】 【邮箱:szkk09@163.com】【地址:深圳市福田区中航路都会100大厦B座30A】 Http:// 型号:IRFP460APBF 品牌:IR 封装:TO-247 批号:12+ 参数:IRFP460A:500V,270mO,20A,280W
  • 【电话/TEL:0755-82528639】【传真/FAX:0755-83239679】联系人:黄先生 徐先生 【QQ:451342246 274960969 】【手机:13510931739 黄先生13717138141徐先生】 【邮箱:szkk09@163.com】【地址:深圳市福田区中航路都会100大厦B座30A】 Http:// 型号:IRFP460APBF 品牌:IR 封装:TO-247 批号:12+ 参数:IRFP460A:500V,270mO,20A,280W >>
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  • 制造商:International Rectifier 最小包装量:2000PCS 封装:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 包装:Tape & Reel (TR) 类别:FET - 单路 无铅情况/RoHS: 符合 产品描述:MOSFET N-CH 200V 5A DPAK 系列:HEXFET® 功率 - 最大值:43W 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 25V 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V
  • 制造商:International Rectifier 最小包装量:2000PCS 封装:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 包装:Tape & Reel (TR) 类别:FET - 单路 无铅情况/RoHS: 符合 产品描述:MOSFET N-CH 200V 5A DPAK 系列:HEXFET® 功率 - 最大值:43W 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 25V 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V >>
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  • 深圳特普威尔电子有限公司专业供应原装IR(国际整流器),威世(VISHAY),ON(安森美),ST(意法半导体),FSC (仙童) ,TOS , FUJI 系列等品牌。场效应管,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管,肖特基二极管,SMD原件!我司产品广泛应用于电源,电机驱动,逆变焊机,汽车电子,节能灯,电子镇流器,通信设备,工业控制,汽车HID等领域。 我们秉持以质量为本,信誉至上的发展理念和宗旨。为各区域顾客提供全面,稳定的高品质全新原装元器件及配套服务。欢迎广大朋友前来洽谈商议共同开创广阔的未来!
  • 深圳特普威尔电子有限公司专业供应原装IR(国际整流器),威世(VISHAY),ON(安森美),ST(意法半导体),FSC (仙童) ,TOS , FUJI 系列等品牌。场效应管,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管,肖特基二极管,SMD原件!我司产品广泛应用于电源,电机驱动,逆变焊机,汽车电子,节能灯,电子镇流器,通信设备,工业控制,汽车HID等领域。 我们秉持以质量为本,信誉至上的发展理念和宗旨。为各区域顾客提供全面,稳定的高品质全新原装元器件及配套服务。欢迎广大朋友前来洽谈商议共同开创广阔的未来! >>
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  • IRF9640PBF中文资料第5页精选内容:文件号:91086 WWW.VISHAY.COM S-81272-REV. A,2008年6月16日五 IRF9640,SIHF9640 VISHAY SILICONIX图9 - 最大漏极电流与外壳温度的关系图10A - 开关时间测试电路图10B - 开关时间波形图11 - 最大有效瞬态热阻抗,结到外壳图12A - 无钳位电感测试电路图12B - 非钳位感应波形脉冲宽度 1S职责因素 0.
  • IRF9640PBF中文资料第5页精选内容:文件号:91086 WWW.VISHAY.COM S-81272-REV. A,2008年6月16日五 IRF9640,SIHF9640 VISHAY SILICONIX图9 - 最大漏极电流与外壳温度的关系图10A - 开关时间测试电路图10B - 开关时间波形图11 - 最大有效瞬态热阻抗,结到外壳图12A - 无钳位电感测试电路图12B - 非钳位感应波形脉冲宽度 1S职责因素 0. >>
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  • 第五代HEXFETs国际整流器的利用先进的处理技术实现极低导通电阻每个硅区域。这个好处,加上快切换速度和加固的装置设计,HEXFET权力场效应管是众所周知的,为设计师提供了一个极其有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。 商业工业- 247包是首选应用在更高的功率不能使用- 220 设备。- 247是类似,但比早些时候- 218 包,因为它孤立的安装孔。
  • 第五代HEXFETs国际整流器的利用先进的处理技术实现极低导通电阻每个硅区域。这个好处,加上快切换速度和加固的装置设计,HEXFET权力场效应管是众所周知的,为设计师提供了一个极其有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。 商业工业- 247包是首选应用在更高的功率不能使用- 220 设备。- 247是类似,但比早些时候- 218 包,因为它孤立的安装孔。 >>
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