• 产品种类:MOSFET 制造商:Infineon RoHS:详细信息 技术:Si 安装风格:ThroughHole 封装/箱体:TO-220-3 通道数量:1Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:150V Id-连续漏极电流:83A RdsOn-漏源导通电阻:12mOhms Vgs-栅极-源极电压:30V Qg-栅极电荷:71nC 封装:Tube 商标:InfineonTechnologies 配置:Single Pd-功率耗散:330W 工厂包装数量:50 晶体管类型:
  • 产品种类:MOSFET 制造商:Infineon RoHS:详细信息 技术:Si 安装风格:ThroughHole 封装/箱体:TO-220-3 通道数量:1Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:150V Id-连续漏极电流:83A RdsOn-漏源导通电阻:12mOhms Vgs-栅极-源极电压:30V Qg-栅极电荷:71nC 封装:Tube 商标:InfineonTechnologies 配置:Single Pd-功率耗散:330W 工厂包装数量:50 晶体管类型: >>
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  • 烨弘轩电子最新到货 有最新批号 朱生 13410068358 微信同号 可提供样品 批量 方案 技术资料 技术支持 竭诚为您提供优质服务。需要查询更多产品 www.yhx-group.com 。 LTC7821EUH#PBF LTC7821EUH#TRPBF LTC7821IUH#PBF LTC7821IUH#TRPBF 有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格 原厂原包原标原装每一片都来自正规渠道每一片都可追溯 TC®7821 采用了一种把软开关充电泵拓扑与一个同步降压型转换器相结合的专有架构
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  • 高效率同步整流开关电源. 场效应管MOSFETN100VTO-220AB 晶体管极性:N沟道 电流,Id连续:180A 漏源电压,Vds:100V 在电阻RDS(上):4.5mohm 电压@Rds测量:10V 阈值电压,Vgsth典型值:4V 功耗,Pd:370W 工作温度最小值:-55C 工作温度最高值:175C 封装类型:TO-220AB 针脚数:3 MSL:(不适用) SVHC(高度关注物质):NoSVHC(20-Jun-2013) 功耗,Pd:370W 功耗,Pd:370mW 器件标号:4110
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  • 2.《莎木 I & II》   莎木 I & II最初在2000年和2001年在Dreamcast上问世,是一款集成了柔术格斗、侦探调查、角色扮演以及怀旧小游戏等元素的开放世界动作冒险游戏。它在许多方面引领了现代游戏的潮流,包括开放世界探索和快速反应事件(QTE)的首次出现。它也是首个拥有完全开放世界的游戏之一,包含了昼夜交替、天气变化、商店的开门和打烊、有各自行程活动的NPC等要素。游戏引人入胜的剧情以及生动的世界为其赢得了一大批死忠粉,并保持着史上最佳游戏的地位。   玩家评论:
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  • IRLR8259TRPBF IRLR8259TRPBF的特征: 用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器 用于电信和工业应用的同步整流的高频隔离DC-DC转换器 Static @ TJ = 25°C(除非另有说明):  IRLR8259TRPBF的描述: 4.5V VGS时的极低RDS(on) 超低门阻 全特征雪崩电压和电流 无铅 符合RoHS标准  一般信息
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  • IRFB7440PbF 8 www.irf.com?2015国际整流器提交数据表反馈 2015年2月19日图23a.开关时间测试电路图23b.开关时间波形图22b.未钳位的感应波形图22a.松开感应测试电路 TP V (BR)DSS 我 AS RG IAS 0.01  TP DUT大号 VDS + - VDD DRIVER一个 15V 20V V GS图24a.栅极充电测试电路图24b.
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  • 【电话/TEL:0755-82528639】【传真/FAX:0755-83239679】联系人:黄先生 徐先生 【QQ:451342246 274960969 】【手机:13510931739 黄先生13717138141徐先生】 【邮箱:szkk09@163.com】【地址:深圳市福田区中航路都会100大厦B座30A】 Http:// 型号:IRFP460APBF 品牌:IR 封装:TO-247 批号:12+ 参数:IRFP460A:500V,270mO,20A,280W
  • 【电话/TEL:0755-82528639】【传真/FAX:0755-83239679】联系人:黄先生 徐先生 【QQ:451342246 274960969 】【手机:13510931739 黄先生13717138141徐先生】 【邮箱:szkk09@163.com】【地址:深圳市福田区中航路都会100大厦B座30A】 Http:// 型号:IRFP460APBF 品牌:IR 封装:TO-247 批号:12+ 参数:IRFP460A:500V,270mO,20A,280W >>
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  • 第五代HEXFETs国际整流器的利用先进的处理技术实现极低导通电阻每个硅区域。这个好处,加上快切换速度和加固的装置设计,HEXFET权力场效应管是众所周知的,为设计师提供了一个极其有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。 商业工业- 247包是首选应用在更高的功率不能使用- 220 设备。- 247是类似,但比早些时候- 218 包,因为它孤立的安装孔。
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  • 深圳特普威尔电子有限公司专业供应原装IR(国际整流器),威世(VISHAY),ON(安森美),ST(意法半导体),FSC (仙童) ,TOS , FUJI 系列等品牌。场效应管,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管,肖特基二极管,SMD原件!我司产品广泛应用于电源,电机驱动,逆变焊机,汽车电子,节能灯,电子镇流器,通信设备,工业控制,汽车HID等领域。 我们秉持以质量为本,信誉至上的发展理念和宗旨。为各区域顾客提供全面,稳定的高品质全新原装元器件及配套服务。欢迎广大朋友前来洽谈商议共同开创广阔的未来!
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  • 第五代HEXFETs国际整流器的利用先进的处理技术实现极低导通电阻每个硅区域。这个好处,加上快切换速度和加固的装置设计,HEXFET权力场效应管是众所周知的,为设计师提供了一个极其有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。 商业工业- 247包是首选应用在更高的功率不能使用- 220 设备。- 247是类似,但比早些时候- 218 包,因为它孤立的安装孔。
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  • 制造商:International Rectifier 最小包装量:2000PCS 封装:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 包装:Tape & Reel (TR) 类别:FET - 单路 无铅情况/RoHS: 符合 产品描述:MOSFET N-CH 200V 5A DPAK 系列:HEXFET® 功率 - 最大值:43W 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 25V 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V
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  • IRF9640PBF中文资料第5页精选内容:文件号:91086 WWW.VISHAY.COM S-81272-REV. A,2008年6月16日五 IRF9640,SIHF9640 VISHAY SILICONIX图9 - 最大漏极电流与外壳温度的关系图10A - 开关时间测试电路图10B - 开关时间波形图11 - 最大有效瞬态热阻抗,结到外壳图12A - 无钳位电感测试电路图12B - 非钳位感应波形脉冲宽度 1S职责因素 0.
  • IRF9640PBF中文资料第5页精选内容:文件号:91086 WWW.VISHAY.COM S-81272-REV. A,2008年6月16日五 IRF9640,SIHF9640 VISHAY SILICONIX图9 - 最大漏极电流与外壳温度的关系图10A - 开关时间测试电路图10B - 开关时间波形图11 - 最大有效瞬态热阻抗,结到外壳图12A - 无钳位电感测试电路图12B - 非钳位感应波形脉冲宽度 1S职责因素 0. >>
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  • IRF3808PbF 8 www.irf.com峰值二极管恢复dv / dt测试电路 PW期的di / dt二极管恢复的dv / dt波纹 5%体二极管向前掉落重施电压相反复苏当前身体二极管向前当前 V GS = 10V V DD 我 SD驱动器门驱动 DUT I SD 波形 DUT V DS 波形电感Curent D = PW期 + - + + + - - - ?  , R G V DD ?
  • IRF3808PbF 8 www.irf.com峰值二极管恢复dv / dt测试电路 PW期的di / dt二极管恢复的dv / dt波纹 5%体二极管向前掉落重施电压相反复苏当前身体二极管向前当前 V GS = 10V V DD 我 SD驱动器门驱动 DUT I SD 波形 DUT V DS 波形电感Curent D = PW期 + - + + + - - - ? , R G V DD ? >>
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  • IRF9540NPBF原装正品,代理优势,现货热卖,IRF9540NPBF场效应管,力索电子0755-82584090,特价销售,假一罚十。IRF9540NPBF国际整流器公司的第五代HEXFET采用了先进的制造技术使得硅片的导通阻值极低。结合了高速转换以及HEXFET功率MOS管著名的强化设备的设计,它使得设计者在许多应用中用了一个非常高效和可靠的工具。 型号:IRF9540NPBF或者IRF9540N 品牌:IR 封装:TO-220AB 包装:50PCS/管 晶体管极性:P 漏极电流, Id最大值:-
  • IRF9540NPBF原装正品,代理优势,现货热卖,IRF9540NPBF场效应管,力索电子0755-82584090,特价销售,假一罚十。IRF9540NPBF国际整流器公司的第五代HEXFET采用了先进的制造技术使得硅片的导通阻值极低。结合了高速转换以及HEXFET功率MOS管著名的强化设备的设计,它使得设计者在许多应用中用了一个非常高效和可靠的工具。 型号:IRF9540NPBF或者IRF9540N 品牌:IR 封装:TO-220AB 包装:50PCS/管 晶体管极性:P 漏极电流, Id最大值:- >>
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  • 第五代HEXFETs来自国际整流器利用先进的处理技术来实现极低的导通电阻/硅区域。这好处,加上快速切换速度和加固的装置设计,HEXFET权力场效应管是众所周知的,提供了设计师极其有效和可靠的设备使用在各种各样的应用程序。
  • 第五代HEXFETs来自国际整流器利用先进的处理技术来实现极低的导通电阻/硅区域。这好处,加上快速切换速度和加固的装置设计,HEXFET权力场效应管是众所周知的,提供了设计师极其有效和可靠的设备使用在各种各样的应用程序。 >>
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  • 专业代理,全新到货,大量现货欢迎询问!!! 质优价廉,品质保证! 批号:无铅环保 专业代理全线产品,优势的进货渠道,专业的销售团队,一手货源,全国最低价供应! 为您提供专业、快捷、可靠的产品 深圳斯普仑科技有限公司 ShenzhenSpringTechnologyCo.,Ltd 地址:深圳市福田区振华路122号海外装饰大厦A座211室 Add:Shenzhenfutiandistrictzhenhuaroad122overseasdecorationbuilding,room211,blockA, Gua
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  • 品牌:IR 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单 系列:- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25 C:1.8A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25 C:500 毫欧 @ 1.1A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250A 闸电荷(Qg) @ Vgs:12nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:270pF @ 25V 功率 - 最大:2W 安装
  • 品牌:IR 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单 系列:- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25 C:1.8A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25 C:500 毫欧 @ 1.1A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250A 闸电荷(Qg) @ Vgs:12nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:270pF @ 25V 功率 - 最大:2W 安装 >>
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